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色尼姑成人 PECVD工艺中RF射频功率对μc

发布日期:2024-07-23 05:43    点击次数:95

色尼姑成人 PECVD工艺中RF射频功率对μc

HJT太阳能电板依然在正、背名义结束了钝化战斗,因此获取了较高的开路电压,彰着高于TOPCon电板和PERC电板。但正名义的非晶硅层存在较为严重的寄生接收色尼姑成人,酿成HJT电板在短路电流方面并不占上风。责罚该问题的念念路之一在于使用微晶硅代替非晶硅。从工艺上来讲,微晶硅的形成需要转变通入硅烷与氢气的稀释率,RF射频功率和千里积压强,来晋升微晶硅薄膜的晶化率。好意思能晶化率测试仪接管325nm激光器,可结束5nm以上非晶/微晶材料的原位测试;搭配高光谱分辩率、极低杂散光的光谱仪,保证光谱数据的准确性和近似性。笔据用户需求研发出晶化率拟合软件,高效精确输出晶化率数值。

笔据晶体结构的各异,硅薄膜材料不错分为单晶硅薄膜、多晶硅薄膜和非晶硅薄膜。

单晶硅、多晶硅、非晶硅结构表露图

非晶硅(a-Si:H)是一种锻练的材料,在光伏和微电子限制,它已被平淡期骗于开发大面积薄膜太阳能电板和薄膜晶体管(TFT)。但由于其原子的端正很短:这种端正主要与共价键的长度和键角关连,而键角只在最相近的原子之间保管。因此,a-Si:H具有较差的运输特点,低电子迁徙率,悬空键密度大,况且在光映照下会降解(Staebler-Wronski效应)。

多晶硅(poly-si)领有雅致的运输特点,但由于需要使用较高的千里积温度(600℃),这死心了其在玻璃和柔性基底上集成。

微晶硅μc-Si:H薄膜

微晶硅μc-Si:H是一种硅基薄膜,是由PECVD在低温(≤200℃)下制成的,不同于非晶硅和多晶硅,微晶硅μc-Si:H助长在不同取向的晶体柱中,柱状间由非晶硅构成的界限离隔。

微晶硅μc-Si:H的带隙和接收统共与非晶硅不同,具有更高的电导率,更高的红外接收率,对太阳辐照(光接收)的清爽性更高。另一方面,μc-Si:H在低温(200℃)下千里积,也施展出高载流子迁徙率、高清爽性和高电导率。

时常,μc-Si:H薄膜由甲硅烷(SiH4)和氢(H2)羼杂气体制成,但也不错接管甲硅烷(SiH4)、氢(H2)和氩(Ar)羼杂气体制成。制成μc-Si:H薄膜的主要参数是H2的稀释度、适中的RF射频功率和较高的千里积压强,通过优化这些参数,来晋升结晶率Xc,并优化其性能特征。

RF射频功率对微晶硅薄膜的厚度、千里积速度、名义豪放度及晶化率Xc的影响

咱们通过对在PECVD响应器中以200℃的温度下,用不同RF射频功率(20、25、30、35、40、45W)千里积30分钟后,制成μc-Si:H薄膜进行磋议,咱们发现不同的RF射频功率对薄膜的厚度、千里积速度、名义豪放度、晶化率Xc等特点产生了一定的影响。

表.不同RF射频功率对μc-Si:H薄膜的厚度、千里积速度、名义豪放度以及晶化率Xc的影响数据

千里积速度是通过薄膜的平均厚度和千里积时辰推敲得出的。下图表露了千里积速度与RF射频功率的关系。从图中不错看出,千里积速度随RF射频功率的增多而裁减,

μc-Si:H薄膜的千里积速度和与RF射频功率的关系

很彰着,在增多RF射频功率千里积薄膜时,薄膜的豪放度也在随之增多。据关连文件磋议标明,μc-Si:H薄膜中较大的豪放度值与较大的晶体尺寸关连。

下图表露了不同RF射频功率千里积的μc-Si:H薄膜的3D图像。从测量中咱们索要了平均豪放度(Sa)和均方根豪放度(RMS)值。

μc-Si:H薄膜的千里积速度和与RF射频功率的关系

情色综合网拉曼分析

拉曼光谱可用于μc-Si:H薄膜的表征。下图表露了不同RF功率水平下千里积薄膜的拉曼光谱图。不错发目下光谱中520cm-1处有一个彰着的峰。整个的样品晶化率Xc在64-75%的范围内,在25W的RF射频功率下千里积的薄膜具有最大的晶化率Xc。

上头咱们讲到,关于μc-Si:H的千里积,需要三个条目。在千里积的经由中,会发生H2刻蚀经由。在较高的RF射频功率的影响下会促进H2的刻蚀经由,从而影响薄膜的晶化率Xc。

为什么要测试拉曼光谱?

用拉曼光谱法不错测量评估硅基薄膜的晶化率。拉曼是一种光散射技能。激光光源的高强度入射光被分子散射时,大大量散射光与入射激光具有交流的波长,这种散射称为瑞利散射(弹性散射)。关联词,还有极小一部分(松弛1/109)散射光的波长与入射光不同,其波长的转变由测试样品(所谓散射物资)的化学结构所决定,这部散布射光称为拉曼散射(非弹性散射)。

对不同工艺参数制备的薄膜,通过拉曼光谱不错了解硅薄膜的微不雅结构和钝化恶果,通过表征薄膜的晶化率,来判断薄膜的导电性能,为制备高质料的薄膜提供优化概念。因此拉曼光谱表征成为薄膜太阳能电板研发经由中的弥留部分。

好意思能晶化率测试仪

Millennial Galaxy Solar晶化率测试仪可适用于测试拉曼光谱,开采领有极佳的紫外明智度和优异的光谱近似性,接管325nm激光器,可结束5nm以上非晶/微晶材料的原位测试;搭配高光谱分辩率、极低杂散光的光谱仪,保证光谱数据的准确性和近似性。笔据用户需求研发出晶化率拟合软件,高效精确输出晶化率数值。

紫外明智度硅-阶峰信号计数优于1000 325nm激光器,1s积分时辰 5nm以上非晶/微晶材料原位测试 一键晶化率分析软件,大幅晋升测试精确度

关于薄膜太阳能电板期骗色尼姑成人,μc-Si:H依然得到了平淡的磋议。目下,依然开发出a-Si:H/μc-Si:H串联太阳能电板(微晶太阳能电板),其清爽服从高达12%。好意思能晶化率测试仪领有纷乱的符合光伏行业晶化率测试功能,支撑经由片原位测试,以适配光伏行业的研发和坐褥,匡助厂商在制造高服从的太阳能电板经由中愈加世俗的靠近各项难过。

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